据悉，极紫外光源13.5nm波长是目前EUV光刻机使用的光源，这一成果将为东方大国产EUV光刻机奠定基础。我们知道，只有13.5才能制造5nm-3nm芯片，甚至通过多次曝光实现2nm、1nm芯片的生产。台积电目前3nm芯片就是使用13.5nm波长的EUV光源。
得知这一消息后，ASML和美国又是如何想？还记得2018年，联合多个国家禁止ASML向中芯国际出售EUV光刻机，美国方面高调宣称要让东方大国在这一领域落后10-15年，但没想到，仅7年时间，哈工大就实现这一核心技术突破，脸打得如此之疼，美国和其盟友肯定不甘心。美国当初的高调宣称并非没有道理，当时在欧美等国联合禁售EUV光刻机之前，中芯国际的技术水平确实只能算是处于追赶阶段，如果没有这一禁售措施，按照中芯国际当时的发展速度，真的有可能在10-15年内赶超。这一切都只是“如果”，没有了ASML的EUV光刻机，中芯国际想要实现这一目标几乎是不可能的，现在中芯国际虽然已经获得了ASML的EUV光刻机，但由于技术水平的限制，5nm量产艰难。
中芯国际想要追赶台积电，还需要多少年？不说了，的这一成果肯定令美国非常震惊，要知道，美国方面一向认为EUV光刻机是全球合作的结果，谁也无法单独研发，不得不说，美国自欺欺人的本事确实不小！美国方面高调宣称要让东方大国在这一领域落后10-15年并不是空穴来风，在此之前，美国方面对于EUV光刻机的研发投入巨大，而且其在这一领域积累了丰富的人才和经验，完全有实力实现这个目标。但是，现在我们已经拥有了EUV光刻机使用的极紫外光源13.5nm波长这个核心技术，并且在这么短的时间内就实现了突破，这说明了很多问题，比如，尽管美国当初投入很大，但我们在这方面的基础研究远远不比美国差，甚至可以说不怕与美国正面较量。当然了，这里不排除美国方面对我们在这一领域基础研究的投入情况不多，因为他们当时高调宣称要让我们落后10-15年，所以他们在这一领域对我们投入的可能性不大，如果真有那种可能性的话，我们在这一领域肯定不会有如此大的突破。现在很多人还记得2000年左右美国高调宣布要让我们在半导体领域落后20年甚至更久，但是没想到才过了不到20年，我们就在集成电路产业上实现了跨越式发展，特别是这两年，在集成电路产业上的投入和发展速度更是令美国等国感到震惊。